柜式纳米银压力烧结机(芯片封装烧结机),是功率半导体(尤其是SiC/GaN)封装工艺中的核心设备,用于实现芯片与基板间的高可靠连接。
. 左侧工艺腔体:带透明防护罩的施压烧结腔,内部集成伺服/液压压力机构与加热平台,是完成“压力+温度+气氛”烧结的核心区域。
工艺原理:通过180–250℃的低温加热 + 3–10MPa的可控压力,配合氮气/真空保护气氛,使纳米银膏中的颗粒扩散并形成致密的金属结合层,替代传统焊锡实现高导热连接。
- 可重复编程多段温控曲线,适配不同材料与器件的烧结需要
2. 右侧控制单元:带LCD显示屏和多组按键的控制柜,用于设置温度曲线、压力参数、烧结时间,同时实时监控设备状态。
3. 底部动力/辅助单元:蓝色箱体通常为液压站/伺服驱动模块,为施压机构提供动力,部分型号还集成了真空/气路系统。
- 关键优势:- 热导率可达400W/m·K以上,是传统焊锡的5–8倍,适配SiC/GaN的高温工作特性。
- 空洞率可控制在1%以内,大幅提升功率模块的可靠性与寿命。
- 光伏逆变器、储能变流器中的IGBT/SiC功率模块
- 工业变频器、伺服驱动器、轨道交通牵引变流器
- 航空航天、军工等高可靠功率器件封装
???? 选型与使用要点
1. 压力与精度:优先选择压力精度优于±1%、最大压力≥10MPa的型号,避免芯片碎裂或压力不均导致的空洞问题。
2. 温控均匀性:加热平台温度均匀性需控制在±2℃以内,确保大面积烧结的一致性。
3. 真空/气氛控制:带真空+氮气保护的型号,可有效降低氧化风险,提升烧结层致密度。


